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2804619011 含硅量＞99.9999999%的多晶硅废碎料

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商品编码2804619011
商品名称含硅量＞99.9999999%的多晶硅废碎料
申报要素1:品名;2:品牌类型;3:出口享惠情况;4:用途;5:加工方法[西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经;6:成分含量;7:外观[多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等];8:电阻率;9:是否需清洗;10:品牌[中文及外文名称];11:型号;12:GTIN;13:CAS;14:其他[非必报要素，请根据实际情况填报];
法定单位千克 / 无
海关监管条件9

检验检疫		M/
出口从价关税率0%
出口退税率0%
商品描述
英文名称Polycrystalline silicon waste or scrap, containing by weight 99.9999999% of silicon or more, excluding solar-grade polysilicon
个人行邮(税号)无

申报实例汇总:

商品名称商品规格
重掺多晶硅材料(顶皮料)边角料备;经掺杂;硅>9999;碎块状;电阻<05欧姆;经草酸清洗
重掺多晶硅材料(顶料)边角料;经掺杂;硅>9999;不规则碎块状;电阻<05欧姆;需清洗
重掺多晶硅材料(边体料)边角料;经掺杂;硅>9999;不规则碎块状;电阻<05欧姆;需清洗
重掺多晶硅材料(底料)边角料;经掺杂;硅>9999;不规则碎块状;电阻<05欧姆;需清洗
重掺多晶硅材料(中料)边角料备;经掺杂;硅>9999;废碎料;电阻<05欧姆;经草酸清洗
硅含量不少于99.99%的废碎料用于生产加工太阳能电池片|切片后清洗|硅含量≥99.99%|硅废碎料|>0.5欧姆|不需清洗
硅含量不少于99.99%的废碎料用于生产加工太阳能电池片|切片后清洗|硅含量≥99.99%|硅废碎料|>0.5欧姆|不需清洗|未经过加工|无其他
太阳能级多晶硅4|3|用于加工硅片|融化结晶，未经掺杂|含硅量≥99.9999999%,杂质≤0.0000001|黑色多晶硅块,块料，不规则形状。|大于100欧姆|无需清洗|||HP-10V
太阳能级多晶硅4|3|用于加工硅片|融化结晶，未经掺杂|含硅量≥99.9999999%,杂质≤0.0000001|黑色多晶硅块,块料，不规则形状。|大于100欧姆|无需清洗|||HP-10S
太阳能级多晶硅4|3|用于生产太阳能多晶硅烷|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥99.99%的太阳能级多晶硅，杂质0.01%|灰色块料|＞1000欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS|<0.09500><0><0>|
太阳能级原生多晶硅4|3|控制太阳能硅棒的材料|西门子法|成分含量:硅>99.9999999%磷≤0.30PPBA硼≤0.1ppba,碳≤0.5ppba|块状|电阻率＞2300OHM-CM|无需清洗
太阳能级原生多晶硅4|3|拉制太阳能硅棒的材料|西门子法|硅>99.9999999%,磷<0.35PPBA,硼<0.05PPBA,碳<0.25PPBA|块料|大于2300OHM-CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|表面未经过加工，没有经过外延，扩散，氧化，涂层，印制电路等|附原产地证书，编号84203482|原厂商名称WackerChemieAG，附原厂商发票
太阳能级原生多晶硅4|3|拉制太阳能硅棒的材料|西门子法|成分含量:硅>99.9999999%磷≤0.30PPBA硼≤0.1ppba,碳≤0.5ppba|块状|电阻率＞2300OHM-CM|无需清洗
太阳能多晶硅料4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产。|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|≥1000|无需清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素
太阳能多晶硅料4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|≥1000|不需清洗|无GTIN|无CAS|不经过外延,扩散,氧化等|K004-18-0001532|原厂商HanwhaChemicalCorpor
太阳能多晶硅HP-10S24|3|用于生产太阳能铸锭的原料|多晶，西门子法|硅99.9%，碳0.1%|灰色不规则块状|无穷大|不需要清洗|无GTIN|无CAS|无其他
太阳能多晶硅HP-10S4|3|用于生产太阳能铸锭的原料|多晶，西门子法|硅99.9%，碳0.1%|灰色不规则块状|无穷大|不需要清洗|无GTIN|无CAS|不经过外延、扩散、氧化、涂层、印刷电路|附原产地证书，编号为K001170967884|原厂商名称：HankookSiliconCo.，Ltd.原厂商发票号：SNP-SZ171222-01|无其他
多晶硅材料(顶底边体料)边角料PN混合经掺杂,硅>9999碎块状电阻>05欧姆多次复拉
多晶硅材料(重掺顶底边体料)边角料;经掺杂;硅>9999;块状;电阻<05欧姆;需清洗;多次复拉
多晶硅材料0|3|太阳能用|未掺杂|硅99.999999992%,杂质0.000000008%|棒料|电阻率>=100欧姆|免洗|||是新料,HP-10R
多晶硅材料0|3|太阳能用|未掺杂|硅99.999999992%,杂质0.000000008%|棒料|电阻率>=100欧姆|免洗|||是新料，HP-10R
多晶硅材料0|3|太阳能用|未掺杂|硅99.999999992%,杂质0.000000008%|棒料|电阻率>=100欧姆|免洗|||是新料，HP-10R,密度高产量较高
多晶硅料SOLARGRADEPOLYSILICON4|3|用于制造多晶硅片|经掺杂|含硅料大于99.99%|不规则块状|523-1060欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS
多晶硅料SOLARGRADEPOLYSILICON用于制造多晶硅片|经掺杂|含硅料大于99.99%|不规则块状|523-1060欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延,扩散,氧化、涂层、印制电路等表面加工|附原产地证书,原产地证书号：K001170963558|附原厂商发票，原厂商发票号：HPS-735820，原厂商名称：HanwhaChemicalCorporation|
多晶硅料4|3|生产太阳能电池片用原料|用西门子法对硅矿石进行加工,用西门子法对硅矿石进行加工,硅矿石经过多步提纯,冷凝,高温还原后形成多晶硅料|多晶硅99.9999%|块料|大于100欧姆|否
多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170964562|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-735823|无必报要素
多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170974827|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-735827|无必报要素
多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170975054|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-738203|无必报要素
多晶硅.加工单晶硅棒用.含硅≥99.9999999%(电子级)电子工业用.经掺杂，无需清洗，块状，800欧姆
多晶硅(碎)4|3|用于太阳能铸锭生产|西门子提纯法|≥99.9999%|碎料|大于5欧姆|无需清洗|||
多晶硅(棒状)CUTRODPOLYSILICON(HIGHPURITY)用于提拉生长集成电路级单晶硅晶棒|改良西门子法|多晶硅99.999999999%其余为杂质|灰色块料|电阻率>2000Ω·CM|不需清洗|不经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等
多晶硅(块状)NUGGETPOLYSILICON(HIGHPURITY)用于提拉生长集成电路级单晶硅晶棒|改良西门子法|多晶硅99.999999999%其余为杂质|灰色块料|电阻率>2000Ω·CM|不需清洗|不经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等
多晶硅(块)4|3|用于太阳能铸锭生产|西门子提纯法|≥99.9999%|块料|大于5欧姆|无需清洗|||
含硅量＞999999999%的多晶硅废碎料太阳能级多晶硅除外
原生太阳能级多晶硅料4|3|用于制造太阳能级多晶硅片|硫化床熔炉加热，未经掺杂|硅含量大于99.999%|外观灰黑色，多晶硅碎料，粉末状|电阻不详|无需清洗

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