| 商品编码 | 2804619019 |
| 商品名称 | 其他含硅量＞99.9999999%的多晶硅 |
| 申报要素 | 1:品名;2:品牌类型;3:出口享惠情况;4:用途;5:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经;6:成分含量;7:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;8:是否需清洗;9:签约日期;10:品牌（中文或外文名称）;11:型号;12:GTIN;13:CAS;14:其他; |
| 法定单位 | 千克 |
| 海关监管条件 | |
检验检疫 | |
| 出口从价关税率 | – |
| 出口退税率 | 0% |
| 商品描述 | |
| 英文名称 | Other polycrystalline silicon, containing by weight more than 99.9999999% of silicon, excluding solar-grade polysilicon |
| 个人行邮(税号) |
申报实例汇总:
| 商品名称 | 商品规格 |
| 高纯硅多晶棒HYPERPURESILICON,圆柱体,用于半导体工 | (成分含量99999%,直径98-102mm,牌号:60051312) |
| 非免洗多晶硅材料 | 制造太阳能级硅片|酸洗法，无参杂|硅纯度大于99999999%|碎块状|10-1000欧姆|需清洗|非外延扩散,非氧化涂层,非刻线路板|型号：HSCTBS |
| 非免洗多晶硅材料 | 制造太阳能级硅片|酸洗法，无参杂|硅纯度大于99.999999%|碎块状|10-1000欧姆|需清洗|非外延扩散,非氧化涂层,非刻线路板|型号：HSCTBS |
| 粉状多晶硅 | (05-12MM) |
| 碳极多晶硅 | (硅含量大于9999%) |
| 碎片状多晶硅 | (5CM以上) |
| 硅质板条 | 制造硅质零件;未经掺杂;硅含量不小于9999%;板条 |
| 硅碇 | 制造硅质零件;未经掺杂;硅含量不小于9999%;圆柱状 |
| 硅料破硅片单晶P型无镀膜 | (掺杂硼含硅量9个9电阻率>1欧姆) |
| 硅料多晶,用途:用于太阳能电池 | (电阻率>05欧姆,含硅量7个9) |
| 矽原料 | HSC740,HEMLOCK牌成份硅纯度999999%半导体用原料 |
| 电子级多晶硅 | 制造单晶硅用|经掺杂|999999%二氧化硅|块料| |
| 瓦克原生多晶硅 | PCS-NCC_VERB成分:硅99999999% |
| 片状多晶硅 | (1CM以上) |
| 晶棒 | 半导体材料加工用|直拉式法|9999%多晶硅|棒状|电阻率:1-10欧姆/厘米|不需要清洗 |
| 晶棒 | 半导体材料加工用|直拉式法|99.99%多晶硅|棒状|电阻率:1-10欧姆/厘米|不需要清洗 |
| 太阳能级多晶硅材料(硅颗粒) | ;未经掺杂;硅>9999;颗粒状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 太阳能级多晶硅材料(硅粉) | ;未经掺杂;硅>9999;粉末状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 太阳能级多晶硅材料(硅块) | ;未经掺杂;硅>9999;块状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 太阳能多晶硅 | 单晶棒用|经掺杂|大于99.99%|块料|100-1000ohm/cm|不需清洗|未经加工 |
| 太阳能多晶硅 | 单晶棒用|经掺杂|大于9999%|块料|100-1000ohm/cm|不需清洗|未经加工 |
| 多晶硅颗粒(含硅量不少于9个9) | 用于加工太阳能级单晶硅棒及单晶硅片,表面洁净 |
| 多晶硅颗粒(含硅量不少于7个9) | 用于加工太阳能级单晶硅棒及单晶硅片，表面洁净 |
| 多晶硅锭 | 太阳能级|经熔炼|硅>99.9999%|正方形柱体|电阻0.8-3欧姆|免清洗|无|无 |
| 多晶硅锭 | 太阳能级|经熔炼|硅>999999%|正方形柱体|电阻08-3欧姆|免清洗|无|无 |
| 多晶硅铸锭 | 备;备;不少于9999%;块状;大于1欧姆*厘米;需清洗 |
| 多晶硅粉 | (含硅量不少于9999%) |
| 多晶硅粉 | (硅含量>9999%) |
| 多晶硅碇 | 制造硅质零件;未;硅含量不小于9999%;圆柱状;>1ohmcm |
| 多晶硅生产太阳能电池用 | (形状:不规则0-150MM含硅量大于9999%掺杂硼) |
| 多晶硅片 | 半导体加工用|经掺杂|硅含量大于9999999999 |
| 多晶硅片 | 半导体加工用|经掺杂|硅含量大于99.99999999 |
| 多晶硅片 | 制作太阳能板用;经掺杂;9999%硅;片料 |
| 多晶硅片 | 太阳能电池片|P形掺硼|Si≥999999999%| |
| 多晶硅浇铸料 | (10CM以上) |
| 多晶硅棒 | (硅含量>9999%) |
| 多晶硅棒 | 制造硅质零件;未;硅含量不小于9999%;棒状;>1ohmcm |
| 多晶硅材料（原生硅块） | 备;未掺杂;硅>999999%;硅块;>=100欧姆;需清洗;新料 |
| 多晶硅材料(纯多晶块) | ;P型未经掺杂;硅>9999;块状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 多晶硅材料(硅块) | ;P型未经掺杂;硅>9999;块状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 多晶硅材料(多晶硅块) | ;P型未经掺杂;硅>9999;块状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 多晶硅材料(原生硅颗粒) | ;未经掺杂;硅>9999;颗粒状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 多晶硅材料(原生硅粉) | ;未经掺杂;硅>9999;粉末状;≥100欧姆;无需清洗 |
| 多晶硅材料(原生硅块) | 太阳能太阳能|未掺杂|硅>999999%|块状|>=100欧姆|免清洗|新料|不是废碎料 |
| 多晶硅材料(原生硅块) | 太阳能太阳能|未掺杂|硅>99.9999%|块状|>=100欧姆|免清洗|新料|不是废碎料 |
| 多晶硅材料(原生多晶硅颗粒) | 太阳能;未掺杂;硅大于999999%;颗粒状;备注;免洗;备注 |
| 多晶硅材料(原生多晶硅块) | 太阳能级;未掺杂;硅大于999999%;小碎块;备注;免清洗 |
| 多晶硅料 | (HIGHPURTITY) |
| 多晶硅料 | 用途:用于单晶硅棒的拉制和多晶硅铸锭|加工方法:西门子法|成分含量:硅含量≥999999%|外观:多晶硅碎料|电阻率:＞10ohm/cm|是否需清洗:需清洗|是否废料:不是废碎料 |
| 多晶硅块含量:999999% | (不规则形状) |
| 多晶硅块(含硅量不少于9个9) | 用于加工太阳能级单晶硅棒及单晶硅片,表面洁净ST970 |
| 多晶硅块(含硅量不少于6个9) | 用于加工太阳能级单晶硅棒及单晶硅片,表面洁净PCL-NCS |
| 多晶硅块(含硅量不少于11个9) | 用于加工半导体级单晶硅棒及单晶硅片,表面洁净PCA-AE4 |
| 多晶硅块 | 用于加工半导体级单晶硅棒及单晶硅片|三氯氢硅氢还原法|含硅量不少于11个9|块料|N大于等于500，P大于等于5000|无需清洗|PCB-AE4|不是废料 |
| 多晶硅原生料(电子级) | 用途:用于半导体行业700359 |
| 多晶硅POLYSILICONMATERIALFORSOLAR | (WAFERS含硅量9999%) |
| 多晶硅.加工单晶硅棒用.含硅≥99.9999999% | (电子级)电子工业用.经掺杂，无需清洗，块状，800欧姆 |
| 多晶硅(片状,HSCTBS) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于9999%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(片状,HSCTBS) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于99.99%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(片状,HSCSRK) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于9999%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(片状,HSCSRK) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于99.99%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(棒状)CUTRODPOLYSILICON(HIGHPURITY) | 用于提拉生长集成电路级单晶硅晶棒|改良西门子法|多晶硅99.999999999%其余为杂质|灰色块料|电阻率>2000Ω·CM|不需清洗|不经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等 |
| 多晶硅(条状,HSC019) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于9999%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(条状,HSC019) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于99.99%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(未清洗,片状,无需清洗) | 用于制造太阳能电池片;备;备;备;备;备;HSCSRK |
| 多晶硅(未清洗,板状,无需清洗) | 用于制造太阳能电池片;备;备;备;备;备;HSC019 |
| 多晶硅(未清洗,条块状) | HSCO19,用于制造太阳能电池片 |
| 多晶硅(未清洗,块状,无需清洗) | 用于制造太阳能电池片;备;备;备;备;备;HSC990 |
| 多晶硅(未清洗,块状) | HSCO18,用于制造太阳能电池片 |
| 多晶硅(块状,HSC990) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于9999%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(块状,HSC990) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于99.99%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(块状,HSC104) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于99.99%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(块状,HSC104) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于9999%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(块状,HSC018) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于99.99%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(块状,HSC018) | 用于制造太阳能电池片|未经参杂|硅大于等于9999%,其余为碳,氧,磷|未清洗,非废碎料|电阻率大于1|无需清洗 |
| 多晶硅(块状)NUGGETPOLYSILICON(HIGHPURITY) | 用于提拉生长集成电路级单晶硅晶棒|改良西门子法|多晶硅99.999999999%其余为杂质|灰色块料|电阻率>2000Ω·CM|不需清洗|不经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等 |
| 多晶硅 | (含硅量不少于9999%) |
| 多晶硅 | (纯度>99999%) |
| 多晶硅 | 生产硅晶片用原料;硅矿产提炼;硅纯度999999 |
| 块硅 | (Q-BE-3-1028成分:硅含量9999%以上的多晶硅,) |
| 块硅 | (成分:硅含量9999%以上的多晶硅) |
| 块硅 | (SCRAPSILICON成分:硅含量9999%以上属于单晶硅) |
| 原生多晶硅（硅芯） | 用于生产太阳能电池，含硅量不少于9999% |
| 原生多晶硅颗粒 | 硅>999999%;多晶硅颗粒;电阻率>100ohmcm;免清洗 |
| 原生多晶硅粉料 | 用于太阳能电池;经掺杂;含硅量大于999999%;粉末状 |
| 原生多晶硅粉 | 太阳能;未掺杂;硅>999999%;粉状;备注;免洗;备注 |
| 原生多晶硅碎料 | 用于生产太阳能单晶硅经掺杂含硅量不少于9999% |
| 原生多晶硅碎块 | 硅>999999%;多晶硅碎块;电阻率>60ohmcm;免清洗 |
| 原生多晶硅料 | 原材料矿石,用于生产太阳能硅片,电池等|熔融凝固|硅9999%,其他成分001%|块状,银灰色|电阻率:100欧姆以上|无需清洗 |
| 原生多晶硅料 | 原材料矿石,用于生产太阳能硅片,电池等|熔融凝固|硅99.99%,其他成分0.01%|块状,银灰色|电阻率:100欧姆以上|无需清洗 |
| 原生多晶硅块 | 太阳能|未掺杂|硅>999999%|块状|电阻>100欧姆|免清洗|新料|不是废碎料 |
| 原生多晶硅块 | 太阳能|未掺杂|硅>99.9999%|块状|电阻>100欧姆|免清洗|新料|不是废碎料 |
| 原生多晶硅 | 用于太阳能光伏产业|经掺杂|硅含量大于9999%|细棒状|大于1欧姆*厘米|需清洗|不是废碎料 |
| 原生多晶硅 | 用于太阳能光伏产业|经掺杂|硅含量大于99.99%|细棒状|大于1欧姆*厘米|需清洗|不是废碎料 |
| 单晶硅材料(头尾边皮料)边角料 | PN混合,经掺杂硅>9999,碎块状,电阻>05欧姆,多次复拉 |
| 单晶硅料 | (含硅量不少于9999%片状,半导体) |
| 其他含硅量＞999999999%的多晶硅 | 太阳能级多晶硅除外 |
| 其他含硅量≥9999%的硅废碎料 | 太阳能级多晶硅除外 |
| 免洗多晶硅 | (9999%用途电子工业,加工方法去) |