| 商品编码 | 2804619092 |
| 商品名称 | 含硅量≥99.99%的太阳能级多晶硅 |
| 申报要素 | 1:品名;2:品牌类型;3:出口享惠情况;4:用途;5:加工方法（西门子法、硅烷热分解法等；经掺杂P型、经;6:成分含量;7:外观（多晶硅碎料、块料或锅底料、头尾料等）;8:是否需清洗;9:签约日期;10:品牌（中文或外文名称）;11:型号;12:GTIN;13:CAS;14:其他; |
| 法定单位 | 千克 |
| 海关监管条件 | |
检验检疫 | |
| 出口从价关税率 | – |
| 出口退税率 | 0% |
| 商品描述 | |
| 英文名称 | Solar-Grade Polycrystalline silicon, containing by weight 99.99% of silicon or more |
| 个人行邮(税号) |
申报实例汇总:
| 商品名称 | 商品规格 |
| 硅锭 | 加工为硅片|掺硼铸锭|硅100%|长方体|05-3O |
| 硅片 | 太阳能电池片|P形掺硼|硅大于等于99999999% |
| 太阳能级多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|99.999999%太阳能级多晶硅|银灰色块料|大于200OHM.CM|不需清洗 |
| 太阳能级多晶硅 | 4|3|用于制作太阳能多晶硅片|西门子还原法生产|硅大于等于99.99%杂质等小于等于0.01%|银白色颗粒状|大于100欧姆|不需清洗 |
| 太阳能级多晶硅 | 4|3|用于单晶硅棒的拉制和多晶硅铸锭|西门子法,未经掺杂|硅含量≥99.9999%|碎块状|＞1欧姆·厘米|不需要清洗|无GTIN|无CAS|原产地证书号：84203423,原厂商发票号：145012378,原厂商名：WackerChemieAG |
| 太阳能级多晶硅 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅烷|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥99.99%的太阳能级多晶硅，杂质0.01%|灰色块料|＞1000欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS|<0.09500><0><0>| |
| 太阳能级多晶硅 | 触摸屏镀膜材料|抛光加工Ra：16|硅≥99999 |
| 太阳能电池片 | 太阳能组件用材料|拉棒切片|9999%硅|方形薄片| |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|≥1000|不需要清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素|<0.09500><0 |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|》1000|不需要清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素 |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产。该工艺将工业硅粉与HCl反应,加工成SiHCI3,再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅|含硅量≥99.99%铜、铁、灰尘0.01%|灰色块料|电阻率大于1000Ω*m|不需要清洗|无需报|无需报|原产于韩国, |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产.该工艺将工业硅粉与HCl反应,加工成SiHCI3,再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅|含硅量≥99.99%的太阳能级多晶硅,含有杂质(铜,铁,灰尘)0.01%|灰色块料|》1000|不需清洗|无GTIN|无CAS|附原 |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|≥1000|不需要清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素 |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|≥1000|不需清洗|无GTIN|无CAS|不经过外延,扩散,氧化等|K004-18-0001532|原厂商HanwhaChemicalCorpor |
| 太阳能多晶硅料 | 4|3|用于生产太阳能多晶硅锭|使用改良西门子法通过化学气相沉积的方式生产。|含硅量≥百分之九十九点九九的太阳能级多晶硅,含有杂质：铜、铁、灰尘百分之零点零一|灰色块料|≥1000|无需清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素 |
| 多晶硅锭 | 生产太阳能电池片|浇铸成形|硅9999%以上|长方形 |
| 多晶硅片 | 太阳能电池片|P形掺硼|硅>=99999999%|多 |
| 多晶硅棒 | 太阳能电池的材料|浇铸|大于999999%SILIC |
| 多晶硅料SOLARGRADEPOLYSILICON | 用于制造多晶硅片|经掺杂|含硅料大于99.99%|不规则块状|523-1060欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延,扩散,氧化、涂层、印制电路等表面加工|附原产地证书,原产地证书号：K001170963384|附原厂商发票，原厂商发票号：HPS-735819，原厂商名称：HanwhaChemicalCorporation| |
| 多晶硅料SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于制造多晶硅片|经掺杂|含硅料大于99.99%|不规则块状|523-1060欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS |
| 多晶硅料SOLARGRADEPOLYSILICON | 用于制造多晶硅片|经掺杂|含硅料大于99.99%|不规则块状|523-1060欧姆|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延,扩散,氧化、涂层、印制电路等表面加工|附原产地证书,原产地证书号：K001170963558|附原厂商发票，原厂商发票号：HPS-735820，原厂商名称：HanwhaChemicalCorporation| |
| 多晶硅料 | 4|3|用途:生产多晶硅片|加工方法:改良西门子法|成分含量:>99.99%硅|外观:块状|电阻率:≥500Ω|无需清洗|||规格:HKSHP-10V |
| 多晶硅料 | 4|3|生产太阳能多晶硅片|改良西门子法|含硅量≥99.9999%|块状|100Ωcm|不需要清洗|||签约日期：2018.1.5 |
| 多晶硅料 | 4|3|生产太阳能电池片用原料|用西门子法对硅矿石进行加工,用西门子法对硅矿石进行加工,硅矿石经过多步提纯,冷凝,高温还原后形成多晶硅料|多晶硅99.9999%|块料|大于100欧姆|否 |
| 多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素 |
| 多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|无必报要素|<0.08900><0> |
| 多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170962864|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-735642|无必报要素 |
| 多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170964562|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-735823|无必报要素 |
| 多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170974827|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-735827|无必报要素 |
| 多晶硅SOLARGRADEPOLYSILICON | 4|3|用于生产硅片|西门子法|太阳能级多晶硅含量>99.999999%|银灰色块状|大于200OHM.CM|无需清洗|无GTIN|无CAS|未经过外延、扩散、氧化、涂层、印制电路等|附原产地证书，编号：K001170975054|原厂商：HanwhaChemicalCorporation附原厂商发票，发票号：HPS-738203|无必报要素 |
| 多晶硅(碎) | 4|3|用于太阳能铸锭生产|西门子提纯法|≥99.9999%|碎料|大于5欧姆|无需清洗||| |
| 多晶硅(块) | 4|3|用于太阳能铸锭生产|西门子提纯法|≥99.9999%|块料|大于5欧姆|无需清洗||| |
| 多晶硅 | 4|3|用于生产太阳能级多晶硅锭,单晶硅棒|改良西门子法|含硅量大于99.99%以上|不规则块状银灰色|大于100Ω.CM|不需要清洗|||非废碎料 |
| 多晶硅 | 4|3|用于制作太阳能级单晶硅棒和多晶硅棒锭，最终切片成单晶硅片或者多晶硅片|改良西门子法|多硅晶99.9999%，掺杂磷，硼等金属杂质小于0.3PPM|块状|大于5000欧姆|否 |
| 多晶硅 | 用于静电行业中的一种产品|切割等|熔融的单质硅在凝固时 |
| 含硅量≥9999%的太阳能级多晶硅废碎料 | |
| 含硅量≥9999%的太阳能级多晶硅 | |
| 原生太阳能级多晶硅料 | 4|3|用于制造太阳能级多晶硅片|硫化床熔炉加热，未经掺杂|硅含量大于99.999%|外观灰黑色，多晶硅碎料，粉末状|电阻不详|无需清洗 |
| 原生多晶硅 | 用于生产太阳能铸锭的原料|西门子方法|大于99999 |